报告题目（Title）：二维拓扑绝缘体两带模型的规范理论与纽结理论

报告人（Speaker）：刘鑫 副教授（北京工业大学）

报告时间（Time）：2020年10月22日（周四）上午10:00

报告地点（Place）：校本部G309

邀请人（Inviter）：姜颖

摘要（Abstract）：

二维拓扑绝缘体的紧束缚模型中，两带模型（two-band model）是能够产生非平庸拓扑的最简单模型。霍尔电导σ_xy=e^2/h P的量子化主要由拓扑数P（称为Pontrjagin指数）决定，本工作主要关注P的取值。报告第一部分引进一种新的规范理论，用’t Hooft 单极子（monopole）拓扑模型来诱导单极和半子（meron）激发，复现文献中P=0, ±1的结果。第二部分则提出一个全新的纽结理论观点，将P解释为两个环的高斯缠绕数。这样不仅可以得到P=0, ±1，还可为设计更复杂的新拓扑材料提供可能，即具有高拓扑数P=0, ±1, ±2的方晶格结构。这一方法预期可进一步推广到更复杂的拓扑新材料研究当中。

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