主讲人：Kjell Jeppson 教授 瑞典查尔莫斯理工大学 微技术及纳米科学系，

时间：2013年3月20日10:50

地点：校本部乐乎楼思源厅

摘要：碳纳米管具有优异电学性能、热学性能和机械性能，能满足未来微系统集成技术微型化、高可靠性、高散热需求的挑战，是理想微电子封装材料。在3D集成和SIP封装技术领域，运用化学气相沉积法生长制备垂直碳纳米管阵列能用作互连、热界面材料及微型散热片。本报告将介绍一些垂直阵列碳纳米管制备关键技术，包括碳纳米管生长技术、致密技术、转移技术、堆叠技术和电性能表征技术，进而使得碳纳米管能在3D堆叠集成技术中取代传统材料铜。通过整合低温转移、致密化、平坦化等技术工艺，得到完整的碳纳米管TSV工艺流程。如今的碳纳米管通孔电性能已大为改善，在与半导体工艺技术兼容性方面具有良好应用前景。

Kjell Jeppson 教授简介

Kjell Jeppson教授，IEEE终身会员，1977年在瑞典查尔莫斯理工大学获得固体电子学博士学位。他曾长期在加利福尼亚Rockwell International工作，1985年曾在英国Southampton University微电子中心工作。1993至2000年担任查尔莫斯理工大学电子工程学院副主任，并负责EE项目改革。Jeppson教授目前是嵌入式电子系统设计硕士课程主任。