报告主题： 研究激发电子对于器件和纳米材料影响的新型实验方案
报 告 人：Bruno GRANDIDIER 教授（法国国家科研中心微电子与纳米技术研究所（IEMN）主任研究员)
报告时间：2014年7月1日（周二)9:00
报告地点：校本部G309
主办部门：理学院物理系
邀 请 人: 查访星教授
摘 要： 在半导体的很多应用中，局域导电性的表征对于器件最终性能评价非常关键。随着尺度降低，传统方法如四探针测量会对样品产生很大损伤。因此，扫描隧道显微镜（STM）就成极有潜力的测试手段--它不仅不使用电极且可提供极高空间分辨。利用STM针尖的扫描能力可获得载流子倍增效率的空间分辨，而得以在纳米尺度探究关于硅PN结的碰撞离化，载流子扩散和复合的组合效应。应用SEM发射电子对材料激发可产生多种反应并改变材料特性。本报告讨论电子辐射怎样影响单个半导体纳米线和纳米晶体的输运性质。电子辐射后上述纳米结构的导电性会产生极大的且具可重复性的增加；此效应可以区分表面和体材料对电子输运的贡献。最后我们提出提高半导体纳米结构对电子辐射耐受性的解决方案。
报告人简介： Bruno GRANDIDIER 教授 现为法国国家科研中心微电子与纳米技术研究所（IEMN）主任研究员。并担任ISEN物理系系主任。研究领域主要涉及低维纳米材料的制备及电输运特性表征，纳米材料在光伏太阳能中的应用，以及扫描隧道显微镜的表征。已发表学术论文80余篇，包括Science，PRL，Nanoletters等顶级期刊中论文10余篇。