: 2017年6月16日（周五）上午10：00
: 延长校区行健楼913室
讲座: 基于半导体量子点的纠缠光子源的研究
中国科学技术大学 霍永恒 教授
演讲者简介：霍永恒，中国科学技术大学微尺度物质科学国家实验室（筹）/中科大上海研究院研究员，博士生导师。2011年1月毕业于中科院半导体研究所。2011年2 月到2015年3月在德国莱布尼茨固态和材料研究所（IFW Dresden）先后任博士后和分子束外延实验室负责人。2015年4月到2016年6月在奥地利林茨大学任高级研究员。2016年7月全职回到中国科学技术大学工作。10余年来专注于半导体材料生长和量子信息材料与器件的研究,取得了一些创新成果，包括开创基态为轻空穴的量子点材料，生长波长可调的量子点光子源和纠缠光子源，建立半导体与原子间的量子界面等。已在Nature Physics, Nature Communications，Nano Letters, ACS Photonics, PRB, APL等发表论文20多篇，获发明专利2项。研究成果被Phys.org等国际学术媒体多次报道，被荷兰FOM，德国IFW 等评为年度亮点。
讲座摘要：
量子信息是当前发展最为迅速的学科之一，展现了广阔的产业前景。为推动量子信息技术走向大规模应用，必须发展小型化、低成本、可集成的固态量子器件，而纠缠光子源是其中最核心的器件之一。理想的纠缠光子源应具备可确定性产生、高纠缠保真度、高全同性、高光子收集效率等品质，此外还要与现有产业技术相兼容。半导体量子点因具有同时满足上述要求的潜力而受到广泛重视。目前已有的几种量子点纠缠光子源制备技术均存在各自的不足，如找到理想量子点的几率小、成本高、技术复杂、纠缠保真度低等。报告人过去几年间通过优化分子束外延生长，发展了在（001）衬底上制备大小和对称性均可控的GaAs量子点的技术，并对此类量子点的物理特性进行了研究[1-3]。其中经过优化后的量子点展现出非常优异的纠缠光子品质，其单光子性（>99.8%），双激子全同性（0.93±0.07），纠缠保真度（0.94±0.01）等为目前已报道的量子点纠缠光子源中最优 [4]。我们还基于此类量子点建立了半导体和原子型量子存储器之间的量子界面[5]。本报告将详细介绍该系列工作的内容和细节，并对未来工作做出展望。
欢迎广大教师和学生参加！
